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太陽能級硅單晶片
型號 P N
摻雜 硼 磷
尺寸 125*125±0.5mm 156*156±0.5mm
厚度 180±20 200±20 or220±20 or 240±20μm
電阻率 0.5~3Ω.cm 3~6Ω.cm
少子壽命 >10μs(20)
晶向 <100>±3°
切割方式 多線切割
總厚度變化 <30μm
垂直度 90°±0.5°
位錯密度 ≤3000 at/ cm2
氧含量 ≤1.0*1018at/ cm3
碳含量 ≤5.0*1016 at/ cm3
浙公網(wǎng)安備 33010602000811號
供應(yīng)商參考報價：面議
太陽能光伏：
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